三星闪存芯片
三星今天(11月7日)宣布开始量产第8代v-nand闪存芯片,堆到了236层.
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三星宣布量产第五代v-nand闪存芯片
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三星量产64层v-nand闪存芯片 传输速度达1gbps
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三星即将量产290层v-nand闪存
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闪存迎来大升级,三星新品重磅发布,拓展汽车,元宇宙领域应用
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新一轮收割开始!三星nand闪存芯片,涨价25%
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三星量产采用64层512gb v-nand的512gb eufs-存储器/芯片-中存储网
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【高清图】 三星将配高速率闪存芯片 提升手机性能图1
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三星将推出首款256gb闪存芯片
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三星开始量产第二代 10nm 级 8gb ddr4 ram 芯片
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三星开始量产 16gb lpddr5-6400 内存芯片:速度提升 16%
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三星电子宣布业内首款基于第五代vnand的512gbeufs30嵌入式通用闪存
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这个锅现在看来只能甩给全球第一闪存芯片厂商三星了,三星在本季度
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三星将推出首款256gb闪存芯片
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三星首款1tb eufs 2.1闪存芯片
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三星256gb闪存现身官网 从三星半导体给出的信息来看,该芯片型号为kl
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三星宣布量产1tb ufs 2.1闪存芯片,手机存储有望迎来新爆发
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三星量产256gb ufs 2.0闪存
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三星宣布量产1tb ufs 2.
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三星推出64gb movinand闪存芯片
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