各向同性刻蚀
刻蚀设备行业分析报告
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同性刻蚀
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各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
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刻蚀剖面:刻蚀后图形的侧壁形状 各向同性 各向异性 各向异性对
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由于采用化学方法刻蚀,因此其刻蚀是各向同性的(横向纵向的材料均会被
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hf/hno3体系,利用其各向同性腐蚀特性,使用rena inline式结构的设备
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当带有与 110>方向相准直的掩膜的(100 )面硅片放到 各向异性刻蚀剂中
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各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
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各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
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国内刻蚀机供应商崛起有望
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钻蚀(undercut)现象 对刻蚀速率的各向异性的定量描述 rl a 1 rv
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a= 1表示理想的各向异性,无钻蚀;a= 0表示各向同性,有严重的钻蚀.
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1 硅的湿法腐蚀 各向同性腐蚀:采用强氧化剂对硅进行氧化然后利用hf
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正文 大马士革工艺具体步骤:各向异性刻蚀来刻蚀层间电介质层(刻出通
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具有刻蚀速率高和各向异性刻蚀等优点,是近年来 mems制作技术又一重要
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hf/hno3体系,利用其各向同性腐蚀特性,使用rena in-line式结构 的
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红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术
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半导体行业研究之 | 半导体刻蚀设备:国产化的前沿阵地
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钒的氧化物各向异性刻蚀的方法与流程
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刻蚀速率同时可获得良好的物理形 貌 (这是各向同性反应)
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