鳍式场效应晶体管
半导体十大研究进展候选推荐2020001单原子层沟道的鳍式场效应晶体管
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场效应晶体管有4个部分——1个源极,1个漏极,一个连接这两者的导电
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鳍式场效应晶体管基础知识解析
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关于finfet鳍式场效应晶体管的介绍
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场效应晶体管|栅极|半导体_网易订阅
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单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
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半导体制造大pk 工艺or大佬 谁定输赢?
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单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
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fet工艺全称fin field-effect transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管
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图1传统平面式(左)与鳍式场效晶体管(右)图片来源:idf,intel
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6纳米!中国研制世界最薄鳍式晶体管,到底有多厉害?
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三星公司又发布了该公司第一款14nm finfet(鳍式场效晶体管)测试芯片
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单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
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一种双栅极鳍式场效应晶体管形成方法及其结构技术
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中国造全球最薄鳍式晶体管,沟道宽度仅0.6纳米
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鳍式场效应晶体管及其制造方法-爱企查
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鳍式场效应晶体管及其形成方法
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此前,业界普遍采用finfet(鳍式场效应晶体管)结构,但在5nm节点后,这种
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鳍式场效应晶体管及其形成方法与流程
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fet,多桥-通道场效应管),采用多层堆叠的纳米片来替代gaafet中的
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